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SLC NANDフラッシュメモリ市場が急成長の見通しを目撃-サイプレスセミコンダクタ、マイクロンテクノロジー、ウエスタンデジタル、復旦マイクロエレクトロニクス

世界のSLC NANDフラッシュメモリ市場は2018年に11億5,000万米ドルを占め、2019年から2027年の予測期間中に5.6%のCAGRで成長し、2027年までに19億8,000万米ドルに達すると予想されています。グローバルSLC NANDフラッシュメモリ市場は2018年に1億4,200万ユニットを占め、2019年から2027年の予測期間中に6.4%のCAGRで成長し、2027年までに2億6,050万ユニットに達すると予想されています。

地理的に、SLC NANDフラッシュメモリ市場は、北米、APAC、ヨーロッパ、RoW地域に分割されています。アジアパシフィックは2018年にSLC NANDフラッシュメモリ市場をリードし、大きな市場シェアを獲得しており、今後数年間から予測期間中にその優位性を維持すると予想されています。 IoTおよび産業用IoTの出現により、さまざまな業界で半導体ベースの電子デバイスの使用が増加していることが、これらの製品の需要を促進する主な要因の1つです。

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グローバルSLC NANDフラッシュメモリ市場-会社概要

サイプレスセミコンダクタ
Intel Corporation
Kingston Technology Europe Co LLP
Microchip Technology Inc.
Micron Technology Inc.
サムスン電子株式会社
SK Hynix Semiconductor Inc.
株式会社東芝
Western Digital Corporation
Winbond Electronics Corporation
復旦マイクロエレクトロニクス(FMSH)

北米は、SLC NANDフラッシュメモリ市場で2番目に大きい市場です。アジア太平洋および北米を除いて、ヨーロッパはSLC NANDフラッシュメモリ市場で3番目に大きい地理的セグメントのままです。フランス、英国などのヨーロッパでは、自動運転車の展開に関して政府が策定した規則や規制を経験しているため、自動運転車のSLC NANDフラッシュメモリの範囲は拡大しています。アジア市場での家電製品の生産と採用は、SLC NANDフラッシュメモリプロバイダーにこの地域での高い成長機会を提供します。

データ中心のアプリケーションのデジタル化と到着の増加

世界中の多くの業種で急速に増加しているデータ中心のSLC NANDフラッシュメモリは、モバイルデバイスと接続テクノロジの急成長と相まって、SLC NANDフラッシュメモリの需要に弾みをつけることが期待されています。コンピュータのシステムをさらに安全にし、その効率を高めるというIT企業の需要の高まりは、SLC NANDフラッシュメモリの革新的なアプリケーションを推進することが期待されています。この要因は、その後、予測期間中にSLC NANDフラッシュメモリ市場の成長を促進すると予想されます。

無人車の普及率が高まり、堅牢なプラットフォームが提供される

カーテレマティクス、使いやすくインタラクティブなインフォテインメントシステムなどのトレンドは急速に出現しており、ドライバーと乗客の安全性に焦点を当てて開発されています。また、他の安全機能の実装により、過去10年間に死亡者と同様に自動車事故の数が減少しました。今日の車両は計算能力が向上しており、これは、車両への電子統合の増加により実現されています。特に米国や英国などの先進国での自動運転車の需要の増加は、SLC NANDフラッシュメモリの需要の伸びに貢献すると予想されます。これは、SLC NANDフラッシュメモリ企業に大きな機会を提供し、SLC NANDフラッシュメモリ市場に良い影響を与えることが期待されています。

アプリケーションインサイト

エンドユーザー別のSLC NANDフラッシュメモリ市場は、自動車、産業、通信、コンピューターとIT、家電などにさらに細分化されています。 SLC NANDフラッシュメモリ市場の産業セグメントは、エンドユーザーセグメントを支配し、2019年から2027年までの予測期間を通してその支配を継続すると予想されます。世界の製造部門は、技術の進歩におけるさまざまな地域からの新たな投資で急速に拡大しています。

密度の洞察

アプリケーション別のSLC NANDフラッシュメモリ市場は、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb、および8Gb以上にさらに細分化されています。 SLC NANDフラッシュメモリ市場の上記の8Gbセグメントは、アプリケーションセグメントを支配し、2019〜2027年の予測期間を通じて市場を支配すると予想されます。3G/ 4Gデータカードや携帯電話などの組み込みアプリケーションの継続的な開発により、 8Gbなどのフラッシュメモリ製品の高密度化のため。

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